<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Elektronik on China Infrared Heating Manufacturer</title>
		<link>http://ir-heat-china.com/de/tags/elektronik/</link>
		<description>Recent content in Elektronik on China Infrared Heating Manufacturer</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>de</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Wed, 01 Jul 2026 13:06:03 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://ir-heat-china.com/de/tags/elektronik/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Präziser Infrarotheizer für Elektronik</title>
				<link>http://ir-heat-china.com/de/posts/precision-infrared-heater-for-electronics/</link>
				<pubDate>Wed, 01 Jul 2026 13:06:03 +0800</pubDate>
				<guid>http://ir-heat-china.com/de/posts/precision-infrared-heater-for-electronics/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heat-china.com/images/016cf4f616aaa15e4af48856b8adc51b.png&#34; alt=&#34;Präziser Infrarotheizer für Elektronik&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;In der Fabrik ist das Erhitzen des Fotolacks kein bloßes Aufwärmen – es handelt sich dabei um einen entscheidenden Schritt im Produktionsprozess. Eine Schwankung von 2 °C während des Erhitzungsprozesses kann zu erheblichen Abweichungen in den kritischen Abmessungen des Wafers führen. Deshalb haben wir einen präzisen Infrarotheizer entwickelt, der dafür sorgt, dass die Temperatur genau dort gehalten wird, wo sie wichtig ist.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Was technisch wichtig ist:&lt;/strong&gt;&#xA;Wir verwenden Kurzwellen-Infrarotquellen mit schneller, direkter Strahlungskopplung. Die Reaktionszeit beträgt weniger als eine Sekunde, und die Gleichmäßigkeit der Temperatur auf der Oberfläche des Wafers liegt bei ±0,1 °C. Der Heizkörper besteht aus Quarz sowie hochreinem Keramikmaterial – dadurch entstehen keine Ausdünstungen und keine Partikel. Dadurch bleibt die Umgebung in einem Reinraumklasse 1–100. Die Temperaturrepetibilität zwischen den einzelnen Prozesszyklen beträgt ±0,5 °C – somit erfolgt jedes Erhitzungsverfahren unter denselben Bedingungen. Die Regelung erfolgt über kalibrierte Pyrometer sowie einen stabilen SSR-Controller – dadurch werden Hotspots am Rand des Wafers vermieden.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
