Riscaldamento a infrarossi per l assottigliamento del wafer

Tue, 09 Jun 2026 03:46:17 +0800

Sulla linea di produzione, il sottileamento dei wafer è un’operazione termicamente sensibile. Un profilo termico non uniforme durante il riscaldamento a infrarossi non solo distorce il wafer, ma genera perdite di resa a causa di imbutitura, stress sul photoresist e microfessure che si manifestano successivamente in litografia e packaging. È necessario una sorgente di calore che tratti l’intera superficie come un’unica zona termica ripetibile.

Aspetti tecnici rilevanti
I nostri moduli di riscaldamento a infrarossi a onda corta mantengono l’uniformità a livello wafer entro ±0,1°C su tutto il substrato, con tempi di risposta inferiori a 2 secondi e setpoint stabili da temperatura ambiente fino a 450°C. L’array emettitore utilizza elementi in quarzo-alogeno in una geometria riflettente che minimizza i punti caldi, e il sistema termico è progettato per operare in cleanroom di Classe 1–100 con generazione zero di particelle durante lo stato stazionario. La ripetibilità della temperatura resta migliore di ±0,5°C per oltre 5.000 ore, garantendo profili di soft bake e hard bake costanti per il photoresist.

Diradamento on China Infrared Heating Manufacturer

Riscaldamento a infrarossi per l assottigliamento del wafer