Riscaldamento zonato per impianti di produzione di wafer avanzati

Tue, 30 Jun 2026 05:21:51 +0800

Nella sala di produzione, una variazione di temperatura di 0,3°C su tutta la superficie del wafer è sufficiente per causare problemi legati alla concentrazione di CD, all’errore di posizionamento dei materiali sulla superficie del wafer e per far sì che il fotoresist vada al di fuori dei limiti previsti dal suo “budget termico”. Non ci sono segnali di allarme: si ottiene soltanto un prodotto difettoso, e necessita di interventi urgenti da parte dei tecnici addetti alla litografia.

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Riscaldamento zonato per impianti di produzione di wafer avanzati